Les MOSFET en carbure de silicium de troisième génération de Toshiba sont désormais disponibles auprès de Farnell
Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l’efficacité et permettent d’économiser de l’espace dans les applications industrielles
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